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厂商型号

BDP 950 E6327 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR

内部编号

173-BDP-950-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

Infineon Technologies

#1

数量:9000
1000+¥1.854
2000+¥1.68
5000+¥1.564
10000+¥1.506
25000+¥1.448
50000+¥1.425
100000+¥1.391
最小起订量:1000
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#2

数量:9900
1+¥5.086
10+¥4.403
25+¥3.94
100+¥3.476
250+¥3.013
500+¥2.549
最小起订量:1
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BDP 950 E6327产品详细规格

规格书 BDP 950 E6327 datasheet 规格书
BDP948, BDP950
文档 Copper Wire Bonding 07/Jan/2014
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 85 @ 500mA, 1V
功率 - 最大 5W
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 PG-SOT223-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 200mA, 2A
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 PG-SOT223-4
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 5W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 85 @ 500mA, 1V
其他名称 BDP 950 E6327CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 100 MHz (Typ)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 5000 mW
系列 BDP950
集电极最大直流电流 3 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 60 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 BDP950E6327HTSA1 SP000010939
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 3 A

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